有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法

摘要

一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

主权项

一种薄膜元件的制造方法，上述方法包括下列步骤：（A）在基板上形成栅极电极层以及以与该栅极电极层同一材料构成的栅极电极材料层的工序；（B）在上述栅极电极层及栅极电极材料层上形成栅极绝缘膜，并且在上述栅极绝缘膜上，在具备与上述栅极电极层平面重迭的形态下形成沟道层和欧姆接触层的工序；（C）形成连接到上述欧姆接触层的源极电极层和漏极电极层的工序；（D）通过蚀刻，去除上述源极电极层及上述漏极电极层所连接的上述欧姆接触层的位于上述源极电极层和上述漏极电极层之间的部分的工序；（E）形成保护膜使之覆盖上述源、漏极电极层以及上述栅极电极材料层的工序；（F）选择性地蚀刻存在于上述栅极电极材料层上的上述栅极绝缘膜及上述保护膜的一部分，形成使上述栅极电极材料层的部分表面露出的第1开口，同时，选择性地蚀刻上述源极电极层或漏极电极层上的上述保护膜的一部分，形成使上述源极电极层或漏极电极层的部分表面露出的第2开口的工序；（G）形成将上述源极电极层或上述漏极电极层与上述栅极电极材料层经由上述第2开口及上述第1开口电连接的导电性材料层的工序。