晶片结合系统及其结合与剥离的方法

摘要

本发明提供了一种通过形成结合系统来处理半导体晶片表面的方法，以便提高后续加工操作过程中所述晶片的处理。所述方法一般包括如下步骤：将剥离层(10)和粘合剂(15)施涂到不同晶片(5,20)上；将所述晶片结合到一起以形成结合晶片系统；进行至少一次晶片加工操作（如晶片磨削等）以形成经过加工的薄晶片；剥离所述晶片；以及随后使用能够溶解所述剥离层或其任何残留物的有机溶剂对所述经过加工的晶片的表面进行清洗。所述粘合剂包含乙烯基官能化聚硅氧烷低聚树脂、Si-H官能化聚硅氧烷低聚树脂、催化剂以及任选的抑制剂，而所述剥离层由倍半硅氧烷基树脂或热塑性树脂构成。

主权项

一种用于处理半导体晶片的表面以提高加工过程中的处理的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一晶片和第二晶片；将剥离层施涂于第一晶片的表面以形成涂覆有剥离层的晶片；将粘合剂施涂到第二晶片的表面以形成涂覆有粘合剂的晶片；将所述涂覆有剥离层的晶片与所述涂覆有粘合剂的晶片结合到一起以形成结合晶片系统；在所述第一晶片和所述第二晶片中的一者上进行至少一次晶片加工操作以形成经过加工的晶片系统；通过引发所述剥离层和所述粘合剂之间的分离来剥离所述经过加工的晶片系统，从而获得经过加工的薄晶片；以及使用有机溶剂清洗所述经过加工的晶片的表面；其中所述有机溶剂能够溶解所述剥离层；以及还可任选地包括在约90℃至约110℃之间的温度下预焙烧所述涂覆有粘合剂的晶片的步骤。