一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法

摘要

一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，它涉及一种复合纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC/Co复合材料化学镀制备方法的存在步骤繁琐、可控性差和沉积粒子尺寸过大的问题。方法：一、混合；二、回流反应；三、磁分离，即得到SiC/Co异质复合纳米线。本发明优点：一、克服传统化学镀存在步骤繁琐和可控性差的问题；二、本发明SiC纳米线表面沉积的Co粒子的尺寸为5nm～10nm。本发明主要用于制备SiC/Co异质复合纳米线。

主权项

一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，其特征在于SiC/Co异质复合纳米线的制备方法是按以下步骤制备的：一、混合：首先将SiC纳米线、含钴化合物加入多元醇中，混匀后得到混合物；步骤一中所述的SiC纳米线与含钴化合物的质量比为1:(0.2～5)；步骤一中所述的SiC纳米线的质量与多元醇的体积比为1mg:(0.1mL～3mL)；二、回流反应：在惰性气体保护下对混合物进行加热，以加热速率为3℃/min～10℃/min加热至沸腾，并回流反应0.1h～2h，得到反应产物；三、磁分离：首先反应产物冷却至室温，然后进行磁分离，对磁分离得到的固体采用去离子水洗2～5次，对洗涤后的固体进行干燥，干燥后即得到SiC/Co异质复合纳米线。