发明名称 一种低压带隙电压基准电路及其实现方法
摘要 本发明公开了一种低压Bandgap电压基准电路,将两条BJT支路差分输入到采用NMOS输入对结构的运放,所述运放输出端连接电流镜,利用深度负反馈使两条BJT支路上端的电压相等;根据运放中NMOS输入对的工作情况自适应调整两条BJT支路基极BJT的基极电压,控制两条BJT支路的电流,保证所述运放正常工作;镜像产生Bandgap电压基准电路的输出电压;本发明同时还公开了一种低压Bandgap电压基准电路的实现方法,通过本发明的方案,能够减小Bandgap电压基准电路的输入电压,使该Bandgap电压基准电路能够在较低的输入电压下工作,并且避免了运放的偏差被放大。
申请公布号 CN103389764A 申请公布日期 2013.11.13
申请号 CN201210148468.6 申请日期 2012.05.09
申请人 快捷半导体(苏州)有限公司 发明人 黄雷
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人 张颖玲;武晨燕
主权项 一种低压带隙(Bandgap)电压基准电路,其特征在于,该电路包括:电流镜、采用N型‑金属‑氧化物‑半导体(NMOS)输入对结构的运放、Bandgap输出电路、自适应调整电路、两条双极结型晶体管(BJT)支路;其中,所述电流镜,配置为接收运放的输出信号,提供电流给两条BJT支路;所述运放,配置为差分输入两条BJT支路上端的电压,产生输出信号给所述电流镜,利用深度负反馈使两条BJT支路上端的电压相等;所述自适应调整电路,配置为根据运放中NMOS输入对的工作情况自适应调整两条BJT支路中共基极BJT的基极电压;所述两条BJT支路,配置为根据共基极BJT的基极电压,控制自身支路的电流,保证所述运放正常工作;所述Bandgap输出电路,配置为镜像产生Bandgap电压基准电路的输出电压。
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