栅氧化硅层的制备方法及半导体衬底处理方法

摘要

本发明提供一种栅氧化硅层的制备方法及半导体衬底处理方法，预先在低压器件区注入氮离子以及在高压器件区注入氟离子，使得在热氧化半导体衬底表面生长栅氧化硅层时，低压器件区的栅氧化硅层的生长得到抑制，高压器件区的栅氧化硅层的生长得到促进，进而形成不同厚度的栅氧化硅层，大大简化了工艺流程；进一步在半导体衬底中锗和/或硅预非晶化注入，提高了沟道载流子迁移率；并且在非晶化注入和氟氮离子注入后的退火再结晶过程中，硅衬底表面特性会得到优化，有利于随后的栅氧化层的可靠性提高；而且这种工艺处理使得低压器件区氮浓度分布的峰值靠近栅氧化硅层表面，可有效阻挡后续来自P+多晶硅的硼穿透，增强低压器件区薄栅氧化硅层的可靠性。

主权项

一种栅氧化硅层的制备方法，其特征在于，包括：提供具有低压器件区和高压器件区的半导体衬底；在所述低压器件区的半导体衬底表面进行氮离子注入，在所述高压器件区的半导体衬底表面进行氟离子注入；热氧化所述半导体衬底表面以生长栅氧化硅层，且所述高压器件区比低压器件区的栅氧化硅层厚。