| 发明名称 | 硅通孔刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；采用第二刻蚀对所述开口底部进行刻蚀，其中，所述第二刻蚀的刻蚀腔室压力小于第一刻蚀和钝化沉积的刻蚀腔室压力；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积和第二刻蚀，处理所述硅衬底，直至形成硅通孔。本发明形成的硅通孔侧壁粗糙度低。 | ||
| 申请公布号 | CN103390581A | 申请公布日期 | 2013.11.13 |
| 申请号 | CN201310321218.2 | 申请日期 | 2013.07.26 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 严利均;黄秋平;刘翔宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀硅衬底；采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；采用第二刻蚀对所述开口底部进行刻蚀，其中，所述第二刻蚀的刻蚀腔室压力小于第一刻蚀和钝化沉积的刻蚀腔室压力；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积和第二刻蚀，处理所述硅衬底，直至形成硅通孔。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||