半导体器件和用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。

主权项

一种半导体器件，包括：第一硅衬底，具有第一触点，所述第一触点包括在所述衬底和第一金属层之间的硅化物层，其中，所述第一硅衬底包括凸起部分，所述硅化物层形成在所述第一硅衬底的表面，并使所述硅化物层延伸出所述第一硅衬底的较低部分并且直至所述凸起部分；第二硅衬底，具有第二触点，所述第二触点包括第二金属层；以及金属合金，所述金属合金在所述第一触点的第一金属层和所述第二触点的第二金属层之间，所述金属合金通过所述第一金属层和所述第二金属层的相互接合形成，并且在所述相互接合之前对所述第一金属层和所述第二金属层均进行移除原生氧化层，使所述第一金属层和所述第二金属层具有平滑的表面；其中所述第一触点和所述第二触点的宽度比为0.12至1.2；其中所述金属合金和所述硅化物层的厚度比为0.8至5。