于非挥发性记忆体中之读取干扰减少

摘要

本发明揭示在非挥发性储存器中减小读取干扰。在一个态样中，当自一主机接收一读取命令以用于读取一选定字线时，随机地挑选一未选择用于读取之字线且感测其储存元件以确定用于读取该选定字线之最佳化读取比较位准。或者，可基于在读取该所挑选字线之储存元件中获得的一错误校正度量针对整个区块指示一刷新作业。此在该选定字线被重复地选择用于读取从而将其他字线暴露至额外读取干扰时系尤其有用。在另一态样中，当储存多个资料状态时，自感测(例如，自一临限电压分布)获得一个读取比较位准，且自一公式导出其他读取比较位准。