半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法，系将晶片与未硬化之接着剂层相叠层的配线基板进行加热，使前述未硬化之接着剂层硬化，以制造半导体装置的方法，其特征为：包含静压加压步骤，其在前述硬化前，藉由相对于常压为0.05MPa以上的静压，对前述晶片与未硬化之接着剂层相叠层的配线基板进行加压。上述半导体装置之制造方法系不取决于基板设计即可简单消灭空洞(void)，而且此时亦不会发生接着剂卷曲。