阴影效应分析结构、其形成方法和其分析方法

摘要

本发明提供一种阴影效应分析结构，包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱；其中至少有两个光刻胶柱的高度不相同。本发明还提供一种所述阴影效应分析结构的形成方法和其分析方法，通过本发明的结构及其分析方法，降低阴影效应分析成本，提高阴影效应的分析效率，进一步还可以优化离子注入的光刻胶层高度，改善阴影效应。

主权项

一种阴影效应分析结构的分析方法，其特征在于，包括：提供阴影效应分析结构，所述阴影效应分析结构包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱，且至少有两个光刻胶柱的高度不相同；使用离子束对测试基底上的离子注入区进行离子注入形成离子掺杂区；进行后续常规化的工艺，在所述测试基底上形成若干数目的MOS晶体管；获得MOS晶体管的阈值电压和漏电流；提供预先设置的标准阈值电压范围，及标准漏电流范围；将获得的阈值电压与标准阈值电压范围比较，同时将获得漏电流与标准漏电流范围比较，若所述获得的阈值电压值落入标准阈值电压范围，同时所述获得的漏电流值落入标准漏电流值范围，则对应的MOS晶体管因光刻胶柱导致的阴影效应在可容忍范围。