| 发明名称 | 操作非易失性存储器的方法与装置 | ||
| 摘要 | 一种操作非易失性存储器的方法与装置。只有当操作电压介于指定的范围和储存在非易失性存储器中的资料样本是重复地被正确读取时，写入指令才被执行。 | ||
| 申请公布号 | CN101763897B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN200910260480.4 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 洪俊雄;张坤龙;郭乃萍;陈耕晖;王裕谦 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种操作存储器装置的方法，包括：接收为一已知数值的一资料样本；接收一操作电压；接收一高电压限制；接收一低电压限制；当该操作电压大于该高电压限制时，禁止一写入指令；当该操作电压小于该低电压限制时，禁止该写入指令；从该存储器装置读取该资料样本以产生一测试读取数值；比较该测试读取数值与该已知数值；以及当该测试读取数值相异于该已知数值时，禁止一写入指令。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||