一种应力记忆技术的CMOS器件制作方法

摘要

本发明提供了一种应力记忆技术的CMOS器件制作方法，该方法在沉积具有拉应力的氮化硅层之前，在晶片器件面沉积阻挡层，阻挡层至少同时覆盖在N阱和P阱上方；对阻挡层进行紫外线和表面氮化或氧化处理，随后沉积拉应力的氮化硅层，是否选择性刻蚀去除PMOS上方的阻挡层和SiN层，取决于氮化硅层对PMOS的性能好坏影响的大小，最后至少在NMOS上保留阻挡层和氮化硅层，接着退火晶片，以促进拉应力施加效果。本发明的方法主要通过强化阻挡层抵抗氢原子的扩散能力，提高了NMOS器件性能。

主权项

一种应力记忆技术的CMOS器件制作方法，应用在具有硅衬底和NMOS和PMOS器件的晶片上；在所述晶片器件面沉积阻挡层之后，其特征在于，该方法还包括：所述阻挡层进行紫外线处理；所述阻挡层表面进行致密化处理；在处理后的阻挡层上沉积具有拉应力的氮化硅层；所述晶片退火；光刻后刻蚀去除所述氮化硅层。