压接型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的压接型半导体装置包括：功率半导体元件（21），该功率半导体元件（21）在上表面至少具有第1电极（26、27），且在其下表面至少具有第2电极（25）；引线框（8、9、10），该引线框（8、9、10）配置成分别与功率半导体元件的第1电极及第2电极相对；以及卡箍（28），该卡箍（28）在利用引线框夹住功率半导体元件的状态下对引线框施加压力，在至少一个引线框的、与第1电极或第2电极相对的面上，形成有金属多孔镀覆部（22、23、24）。

主权项

一种压接型半导体装置的制造方法，该压接型半导体装置包括：半导体元件，该半导体元件在上表面至少形成有第1电极、且在其下表面至少形成有第2电极；以及一对引线框构件，该一对引线框构件分别与所述半导体元件的所述第1电极及所述第2电极相对，其特征在于，该压接型半导体装置的制造方法具备：镀覆形成工序，在该镀覆形成工序中，在与所述半导体元件的所述第1电极或所述第2电极相对的规定的、至少一个所述引线框构件的表面上，形成金属多孔镀覆层；以及压接接合工序，在该压接接合工序中，对所述金属多孔镀覆层、和与所述金属多孔镀覆层相对的所述半导体元件的所述第1电极或所述第2电极进行压接接合。