晶体生长加热系统

摘要

一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热，其包含一上加热装置、一温度感测器、一第一控制器、一侧加热装置及一第二控制器。温度感测器用以感测上加热装置的温度并产生一感测信号。第一控制器存储有一默认温度值，并根据感测信号调整上加热装置的温度趋近默认温度值。第二控制器接收一外部控制信号，并根据外部控制信号调整侧加热装置的温度。借由第二控制器根据外部控制信号调整侧加热装置的温度，并借由第一控制器根据感测信号调整上加热装置的温度，能有效提升晶体生长的良率及效率。

主权项

一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热；其特征在于：所述晶体生长加热系统包含：一上加热装置，设置于该坩埚上方以对该半导体材料加热；一温度感测器，用以感测该上加热装置的温度并产生一感测信号；一第一控制器，电连接于该上加热装置及该温度感测器，且存储有一默认温度值，并根据该感测信号调整该上加热装置的温度趋近该默认温度值；一侧加热装置，设置于该坩埚的一围绕壁外侧以对该半导体材料加热；及一第二控制器，电连接于该侧加热装置，且接收一外部控制信号，并根据该外部控制信号调整该侧加热装置的温度。