一种基于反射光谱拟合的快速钴硅化合物质量检测方法

摘要

本发明公开一种基于反射光谱拟合的快速钴硅化合物质量检测方法，包含：1、钴硅化合物形成后，反射光谱量测工具在线对形成钴硅化合物的区域照射探测光束；2、反射光谱计量工具接收由形成钴硅化合物的区域反射回来的探测光束；3、反射光谱计量工具根据反射回来的探测光束做出其反射光谱；4、反射光谱计量工具根据反射光谱做出其相应的光的本征曲线；5、根据光的反射光谱的本征曲线判断形成钴硅化合物的区域中各化合物的比例是否符合工艺要求，若是，则对晶圆进行后续工序，若否，则停止异常的工艺生产。本发明采用反射光谱快速在线检测钴硅化合物质量，避免造成大量的成本和时间的浪费，减少损失。

主权项

一种基于反射光谱拟合的快速钴硅化合物质量检测方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、前期已经在晶圆上生成有半导体结构，再在该半导体结构上进一步形成钴硅化合物，晶圆上钴硅化合物形成完成后，反射光谱量测工具在线对形成钴硅化合物的区域照射探测光束；步骤2、反射光谱计量工具接收由形成钴硅化合物的区域反射回来的探测光束；步骤3、反射光谱计量工具根据反射回来的探测光束做出其反射光谱；步骤4、反射光谱计量工具根据反射光谱做出其相应的光的本征曲线；步骤5、根据光的反射光谱的本征曲线判断形成钴硅化合物的区域中各化合物的比例是否符合工艺要求，若是，则对晶圆继续进行后续工序，若否，则停止异常的工艺生产。