用于制造含Ga的第III族氮化物半导体的方法

摘要

公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。

主权项

一种用于在衬底上生长第III族氮化物半导体的方法，所述衬底包括不同于所述第III族氮化物半导体的材料，所述方法包括：在所述衬底上形成处于多晶、非晶、或多晶与非晶混合状态的缓冲层，所述缓冲层包含AlN或AlxGa1‑xN(0＜x＜1)；在比在所述缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在所述含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有所述缓冲层的所述衬底进行热处理，以使所述缓冲层的晶核密度相比所述热处理之前的密度降低；在所述热处理之后，将所述衬底的温度降低至所述含Ga的第III族氮化物半导体的单晶生长的温度，并且保持所述温度；以及通过MOCVD法在所述缓冲层上生长所述含Ga的第III族氮化物半导体。