| 发明名称 | 一种信号放大型量子点免疫荧光探针的制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明属于免疫分析技术领域，具体涉及一种信号放大型量子点免疫荧光探针的制备方法及其应用。本发明首先采用微乳液溶剂挥发法，用量子点与聚合物溶液制备得到粒径可控、分散性好的量子点—聚合物复合纳米球，然后将抗体共价偶联在复合纳米球表面，得到信号放大型量子点免疫荧光探针。本发明还提供了所述的量子点免疫荧光探针在荧光免疫检测方法或荧光免疫检测试剂盒中的应用。本发明方法制备得到的量子点免疫荧光探针比传统的量子点免疫荧光探针信号强、检测灵敏度高。 | ||
| 申请公布号 | CN103361064A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310214728.X | 申请日期 | 2013.06.03 |
| 申请人 | 中国人民解放军第二军医大学 | 发明人 | 韩焕兴;张鹏飞;叶伟民 |
| 分类号 | C09K11/88(2006.01)I;C09K11/62(2006.01)I;G01N33/577(2006.01)I;G01N33/545(2006.01)I;G01N33/544(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人 | 赵青 |
| 主权项 | 一种信号放大型量子点免疫荧光探针的制备方法，该方法包括以下步骤：Ⅰ.利用微乳液溶剂挥法制备量子点—聚合物复合纳米球；Ⅱ.将抗体共价偶联在量子点—聚合物复合纳米球表面；所述的量子点是油溶性的，粒径1～15纳米，包括：ZnSe、CdSe、CdTe、CdS、InP、CuInSe、CuInS、ZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/ZnS、InP/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/ZnSe、CdS/ZnSe、CdTe/ZnSe、InP/ZnSe、CdSe/CdS、CdTe/CdS、InP/CdS、CuInSe/ZnS、CuInS/ZnS、ZnSe/ZnXCd1‑XS、CdSe/ZnXCd1‑XS、CdS/ZnXCd1‑XS、CdTe/ZnXCd1‑XS、InP/ZnSeXS1‑X、ZnSe/ZnSeXS1‑X、CdSe/ZnSeXS1‑X、CdS/ZnSeXS1‑X、CdTe/ZnSeXS1‑X、InP/ZnSeXS1‑X中的至少一种，其中0<X<1；所述的聚合物包括：聚苯乙烯‑丙烯酸共聚物、聚苯乙烯‑马来酸酐共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯‑甲基丙烯酸共聚物中的至少一种。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区翔殷路800号 | ||