发明名称 |
一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法,其采用一种新的湿法刻蚀的碱槽结构,所述碱槽分为两个独立的部分,分别为浸泡区和喷淋区,两个区域有独立的槽体并具有独立的控制功能,所述的控制功能包括控制碱液的浓度、温度以及补水和添加药液的功能;在所述碱槽的浸泡区采用“水上漂”的方式,通过碱液的腐蚀完成背抛光,在所述碱槽的喷淋区采用喷淋的方式,对硅片的正表面和背面进行喷淋,去除硅片表面的多孔硅。本发明能够在不影响硅片正面的情况下,实现太阳能电池生产中背抛光的目标,操作简单,效果优越。 |
申请公布号 |
CN103361739A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201310282762.0 |
申请日期 |
2013.07.08 |
申请人 |
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
发明人 |
李茂林;涂宏波;王学林;刘自龙;李仙德;陈康平;金浩 |
分类号 |
C30B33/10(2006.01)I;C23F1/40(2006.01)I;C23F3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/10(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
吴关炳 |
主权项 |
一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法,其特征在于,采用一种新的湿法刻蚀的碱槽结构,所述碱槽分为两个独立的部分,分别为浸泡区和喷淋区,两个区域有独立的槽体并具有独立的控制功能,所述的控制功能包括控制碱液的浓度、温度以及补水和添加药液的功能;在所述碱槽的浸泡区采用“水上漂”的方式,通过碱液的腐蚀完成背抛光,在所述碱槽的喷淋区采用喷淋的方式,对硅片的正表面和背面进行喷淋,去除硅片表面的多孔硅。 |
地址 |
314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号 |