| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件，包括栅极、源极、漏极和沟道区，还包括包围漏极的漂移区，所述沟道区包围漂移区，所述沟道区外侧为源极，所述栅极和源极分为数量相同的至少两个。采用本发明所述的半导体器件，将两个或多个半导体器件的漏端和漂移区共用，使版图布局和芯片的连线得到优化，并且减少了器件面积，降低生产成本；满足开关电源系统对低待机功耗控制电路的需求，使芯片的功率损耗降低；在兼容CMOS工艺基础上开发了该器件，使该器件更具实用性。 | ||
| 申请公布号 | CN103354237A | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201310291956.7 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 成都启臣微电子有限公司 | 发明人 | 许刚颖;余小强;李琴;唐波 |
| 分类号 | H01L27/085(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 梁田 |
| 主权项 | 半导体器件，包括栅极、源极、漏极（11）和沟道区，所述漏极和沟道区还分别包括漏极阱和沟道区阱，其特征在于，还包括包围漏极的漂移区（12），所述沟道区包围漂移区，所述沟道区外侧为源极，所述栅极和源极分别分为至少两个。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区西芯大道4号 | ||