发明名称 |
阵列基板及其制作方法和显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置,属于液晶显示技术领域,其可解决现有的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂,制作成本较高的问题。本发明的阵列基板的制作方法包括:在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图形,并形成栅极绝缘层;在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形;形成透明导电层薄膜,通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形;通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括像素电极的图形。本发明的阵列基板包括薄膜晶体管区和显示区,还包括透明导电层,透明导电层在薄膜晶体管区构成薄膜晶体管的源极和漏极,在显示区构成像素电极。本发明的显示装置,包括上述阵列基板。 |
申请公布号 |
CN103354218A |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN201310269161.6 |
申请日期 |
2013.06.28 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
成军;陈海晶;姜春生 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
柴亮;张天舒 |
主权项 |
一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括:栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、像素电极和有源区,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括以下步骤:在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图形,并形成栅极绝缘层;在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形;形成透明导电层薄膜,通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形;通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括像素电极的图形。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |