发明名称 |
芯片堆叠封装 |
摘要 |
芯片堆叠封装包括利用粘着层作为中间媒介堆叠的多个芯片和穿过多个芯片形成以电连接芯片的贯通电极。贯通电极分作电源贯通电极、接地贯通电极或信号传递贯通电极。电源贯通电极和接地贯通电极由第一材料形成,例如铜,并且信号传递贯通电极由第二材料形成,例如掺杂有杂质的多晶硅。不考虑其电阻率,信号传递贯通电极可具有直径小于电源贯通电极和接地贯通电极横截面直径的横截面。 |
申请公布号 |
CN101425508B |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN200810131010.3 |
申请日期 |
2008.08.19 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
姜善远;白承德;李钟周 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
一种芯片堆叠封装,包括利用粘着层作为中间媒介被堆叠的多个芯片,还包括:穿过所述多个芯片形成以电连接所述多个芯片的第一贯通电极,和穿过所述多个芯片形成以电连接所述多个芯片的第二贯通电极,其中所述第一贯通电极包括电源贯通电极和接地贯通电极,所述第二贯通电极包括信号传递贯通电极,其中所述第一贯通电极由第一材料形成,所述第二贯通电极由不同于所述第一材料的第二材料形成且不包括所述第一材料,所述第一材料的电阻率小于所述第二材料的电阻率,所述第一贯通电极的横截面尺寸等于所述第二贯通电极的横截面尺寸。 |
地址 |
韩国京畿道 |