高压互补金属氧化物半导体的制备方法

摘要

本发明涉及高压互补金属氧化物半导体的制备方法，尤其涉及高压互补金属氧化物半导体P型阱及P型阱电阻的制备方法。本发明提供一种高压互补金属氧化物半导体的制备方法，其中，P型阱和P型阱电阻分别形成。根据该技术方案，P型阱电阻使用单独的掩模版，能够准确地调节P型阱电阻，并且与传统工艺相比，P型阱不用考虑P型阱电阻的要求，可以使用较小的浓度，以得到浓度均匀分布的阱，使产品性能得到提高。

主权项

高压互补金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，所述方法中，P型阱和P型阱电阻分别形成，所述方法包括如下步骤：步骤1：在N型硅衬底硅片表面生成氧化层；步骤2：形成P型阱区；步骤3：生成PMOS源区和漏区；步骤4：NMOS源、漏区的高温推进激活；步骤5：去除氧化层；步骤6：硅片表面生成垫层氧化层；步骤7：生成P型阱电阻；步骤8：制作N型耗尽管。