| 发明名称 | In-Ga-Zn系氧化物溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种含有下述所示的氧化物A和具有方铁锰矿型晶体结构的氧化铟(In2O3)的溅射靶。氧化物A是包含铟元素(In)、镓元素(Ga)、及锌元素(Zn)，且通过X射线衍射测定(Cukα射线)在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°的各位置能观测到衍射峰的氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN102362003B | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201080012980.7 | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;糸濑将之;西村麻美 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 翟赟琪 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其含有下述所示的氧化物A和具有方铁锰矿型的晶体结构的氧化铟In2O3，氧化物A是包含铟元素In、镓元素Ga及锌元素Zn，且通过X射线衍射测定在入射角2θ为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°的各位置能观测到衍射峰的氧化物，所述X射线为Cukα射线。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||