一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法

摘要

本发明一般涉及半导体制造领域中的一种监测测试方法，更确切的说，本发明涉及一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法。本发明监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，通过将晶圆阱区中的三重栅层和双栅层实现交叠，在三重栅层和双栅层交叠的地方，能明显观察到很多湿法刻蚀对有源区造成的损伤，以使得在工艺研发阶段及时发现由于湿法刻蚀造成的有源区损伤问题。

主权项

一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：在一晶圆阱区的离子注入区域生长第一类氧化层，进行第一步刻蚀，刻蚀所述第一类氧化层，形成第一区域；完成第一步刻蚀工艺后，并生长第二类氧化层于所述第一区域上，进行第二步刻蚀，刻蚀所述第二类氧化层，形成第二区域；其中所述第一区域与所述第二区域有交叠部分。