| 发明名称 | 一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe1-xAxO3，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种，且其厚度为15-500nm，电阻率为8.6×10-5-3×10-3Ω·cm，n型载流子浓度为1.4×1019-1.6×1022cm-3。本发明通过调节掺杂量，精确调控其电阻率、n型载流子浓度等半导体性能，在电子元器件、光电探测器和太阳能电池等领域具有巨大的实际应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN103343315A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310223929.6 | 申请日期 | 2013.06.04 |
| 申请人 | 南京理工大学 | 发明人 | 骆溁;陈江鹏;马赫;袁国亮;刘治国 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人 | 朱显国 |
| 主权项 | 一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料，其特征在于所述薄膜材料为n型半导体，分子式为 BiFe1‑xAxO3，其中x为0.0005‑0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种。 | ||
| 地址 | 210094 江苏省南京市孝陵卫200号 | ||