发明名称 利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路及方法
摘要 本发明公开了利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路及方法,该电路包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、记忆电路、控制电路和功率管驱动电路,H桥电路与放大电路连接,放大电路的输出端与电压检测电路连接,电压检测电路与控制电路连接,控制电路通过记忆电路与电压检测电路连接,控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路;该方法利用上述的电路装置,通过短接跳线帽,连接负载,按下按钮开关来设定过载点,并将得到的数据存储于EEPROM存储单元。
申请公布号 CN103337981A 申请公布日期 2013.10.02
申请号 CN201310217877.1 申请日期 2013.06.03
申请人 宁波高新区日新科技有限公司 发明人 刘晓
分类号 H02M7/5387(2007.01)I 主分类号 H02M7/5387(2007.01)I
代理机构 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人 邱积权
主权项 利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路,其特征在于包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、记忆电路、控制电路和功率管驱动电路,所述的H桥电路包括第一功率MOSFET管、第二功率MOSFET管、第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管,所述的第一功率MOSFET管的漏极与第三功率MOSFET管的漏极都与逆变器变换后的直流高压输出端相连,第二功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的源级相连后通过采样电阻接地,第一功率MOSFET管的源级与第二功率MOSFET管的漏极相连,第一功率MOSFET管与第二功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出火线端,第三功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的漏极相连,第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出零线端;所述的第二功率MOSFET管的源级与电压放大电路的输入端连接,电压放大电路的输出端与电压检测电路连接,所述的电压检测电路与控制电路连接,所述的控制电路通过记忆电路与电压检测电路连接,控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路,所述的控制电路外接跳线帽后接地,所述的控制电路外接按钮开关后接地。
地址 315040 浙江省宁波市科技园区院士路创业大厦1073室