发明名称 |
一种聚锆硼硅氮烷先驱体的制备方法 |
摘要 |
一种聚锆硼硅氮烷先驱体的制备方法,包括以下步骤:(1)按摩尔比1:0.1-10:0.1-10:3-30的比例称取有机锆化合物、硼卤烷、卤硅烷、小分子二硅氮烷;(2)将硼卤烷、卤硅烷分别溶解在有机溶剂中;(3)将有机锆化合物加入反应器中,抽真空、充干燥氮气,并将反应器预冷;(4)将溶有硼卤烷的有机溶剂、溶有卤硅烷的有机溶剂加入到反应器中,再将小分子二硅氮烷以滴加的方式加入到反应器中;(5)滴加完毕后,将反应器加热至150-500℃,保温2-30小时;(6)将反应器温度降至120-350℃减压蒸馏,冷却至室温。本发明制得的聚锆硼硅氮烷先驱体特别适合于制备超高温陶瓷材料。 |
申请公布号 |
CN103333343A |
申请公布日期 |
2013.10.02 |
申请号 |
CN201310302011.0 |
申请日期 |
2013.07.18 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
邵长伟;王浩;王军;谢征芳;宋永才;苟燕子 |
分类号 |
C08G77/62(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I |
主分类号 |
C08G77/62(2006.01)I |
代理机构 |
长沙星耀专利事务所 43205 |
代理人 |
宁星耀;舒欣 |
主权项 |
一种聚锆硼硅氮烷先驱体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)按有机锆化合物:硼卤烷:卤硅烷:小分子二硅氮烷的摩尔比为1:0.1‑10:0.1‑10:3‑30的比例称取有机锆化合物、硼卤烷、卤硅烷、小分子二硅氮烷;所述小分子二硅氮烷为烷基硅基二硅氮烷,其分子通式为:(R53Si)2NR6;其中,R5=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基,R6=甲基、乙基、丙基、丁基或苯基; (2)将硼卤烷、卤硅烷分别溶解在有机溶剂中; (3)将所称取的有机锆化合物加入到带搅拌器、恒压漏斗、蒸馏装置的反应器中,抽真空、充干燥氮气反复至少三次,并将反应器预冷至零下2‑35℃;(4)将溶有硼卤烷的有机溶剂、溶有卤硅烷的有机溶剂加入到反应器中,再将小分子二硅氮烷置于恒压漏斗中,一边搅拌,一边将小分子二硅氮烷以滴加的方式加入到反应器中;或者,先将小分子二硅氮烷加入到反应器中,然后将步骤(2)所得溶有硼卤烷的有机溶剂、溶有卤硅烷的有机溶剂混合后加入恒压漏斗中,一边搅拌,一边将溶有硼卤烷的有机溶剂与溶有卤硅烷的有机溶剂的混合液以滴加的方式加入到反应器中;(5)滴加完毕后,以0.2‑1.0℃/min的升温速度将反应器加热至150‑500℃,并在此温度下保温2‑30小时;(6)将反应器温度降至120‑350℃,在此温度下减压蒸馏0.5‑5小时,冷却至室温,即成。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 |