发明名称 薄膜太阳能电池之装置结构
摘要 本案系为一种应用于薄膜太阳能电池之具卤化硷金属先驱物之阳极处理基板结构。其中该基板结构包含有一基底层;以及一阳极处理层,形成于该基底层上,并具有复数个孔洞阵列;其中该复数个孔洞内更具有一卤化硷金属先驱物,以于后续形成吸收层的制程中,使预填入基底层之定量卤化硷金属先驱物扩散至该吸收层,进而提供并控制该吸收层中所需之硷金属含量,并且有效阻绝可能污染源。
申请公布号 TWM462952 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW102207028 申请日期 2009.12.22
申请人 国立勤益科技大学 台中市太平区中山路1段215巷35号 发明人 张子钦;林清彬;梁仕昌
分类号 H01L31/04;H01L31/18 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人 曾国轩 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼;王丽茹 台北市内湖区瑞光路583巷27号4楼
主权项
地址 台中市太平区中山路1段215巷35号