| 主权项 |
1.一种制备式(I)化合物之方法:其中R1为H或羟基亚胺基保护基;R2为H、C1-4烷基或C1-4烷氧基;R3为C1-8烷基、C2-8烯基或C3-8环烷基;且R4为H、卤基、C1-4烷基或C1-4烷氧基,此方法包括之步骤为:(a)使式(II)化合物与氧化剂反应而形成5-氧化合物;(b)使5-氧化合物与式R1-O-NH2化合物反应其中R1为H或羟基亚胺基保护基,形成5-亚胺基化合物;(c)使5-亚胺基化合物与硫逐碳化剂反应而形成4",23-双硫逐碳基酯;(d)使4",23-双硫逐碳基酯与脱氧剂反应而形成4",23-二脱氧化合物;及(e)使4",23-二脱氧化合物与酸反应而形成式(I)化合物。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中还包括当R1为H时,在步骤(b)后加入卤基三苯基矽烷、第三丁基二甲基矽烷、卤基三甲基矽烷、卤基(卤基甲基)矽烷、卤基烯丙基二甲基矽烷、卤基三乙基矽烷、卤基三异丙基矽烷、卤基(3-氰基丙基)二甲基矽烷、卤基二甲基辛基矽烷、卤基三基矽烷或卤基三己基矽烷、及三乙胺、三正丙胺、二异丙基乙基胺、咪唑或啶以保护羟基亚胺基。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中当R1为烯丙基时,步骤(e)之反应可在钯触媒存在下进行。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(a)之氧化剂为二氧化锰、过氧化镍或二铬酸唢啶。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中步骤(a)之反应是在0至80℃之温度下反应10分钟至10小时。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(b)之羟基亚胺基保护基为三苯基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、四氢喃基、甲硫基甲基、烯丙基、甲基烯丙基、巴豆基、氯烯丙基、肉桂基或烯丙酯基。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中步骤(b)之反应是在5至80℃之温度下反应5分钟至20小时。8.根据申请专利范围第1项之方法,步骤(c)之硫逐碳化剂为R5O-C(S)-卤基或R5S-C(S)-卤基,其中R5为C1-4烷基、苯基或基、视需要被选自C1-4烷基、C1-4烷氧基、卤基取代之C1-4烷基、卤基取代之C1-4烷氧基、硝基、羟基、胺基及卤基之一或两个取代基取代之苯基或基。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中步骤(c)之反应是在0至130℃之温度下反应5分钟至10小时。10.根据申请专利范围第1项之方法,步骤(d)之基团脱氧剂为三丁基氢化锡、参(三甲矽烷基)矽烷、三乙基矽烷、三丙基矽烷、苯基矽烷、二苯基矽烷、三苯基矽烷、二烷基亚磷酸盐或次磷酸。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中步骤(d)之反应是在0至140℃之温度下反应5分钟至15小时。12.根据申请专利范围第1项之方法,步骤(e)之酸为对甲苯磺酸、苯磺酸、HF、HCl、H2SO4.H3PO4或HClO4。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中步骤(e)之反应是在0至100℃之温度下反应5分钟至15小时。14.根据申请专利范围第3项之方法,其中钯触媒为肆(三苯膦)钯(0)、二氯双(三苯膦)钯(II)、二氯双(乙羟)钯(II)及二氯双(三异丙氧基膦)钯(II)或二醋酸钯(II)。 |
