一种结型场效应晶体管

摘要

一种结型场效应晶体管，包括：衬底；具有掺杂梯度的N掺杂区域，包括内部掺杂区域和外部掺杂区域，其中内部掺杂区域的掺杂浓度高于所述外部掺杂区域的掺杂浓度；P型埋层，分布于所述衬底并毗邻外部掺杂区域；以及电阻，耦接至内部掺杂区域和外部掺杂区域。该结型场效应晶体管，还包括：漏极、源极和栅极；耦接至内部掺杂区域并提供所述漏极的漏极欧姆接触；耦接至外部掺杂区域并提供所述源极的源极欧姆接触；耦接至所述衬底并提供所述栅极的栅极欧姆接触。该结型场效应晶体管的漏极可承受几百伏的电压，产生不超过几十伏的源极电压供给低压电路，广泛应用于各种电子电路系统。

主权项

一种耗尽型结型场效应晶体管，包括：衬底；P型埋层，所述P型埋层毗邻所述衬底；N型掺杂区域，所述N型掺杂区域毗邻所述P型埋层和所述衬底，所述N型掺杂区域包括：第一N型掺杂区域，所述第一N型掺杂区域具有第一掺杂浓度；第二N型掺杂区域，所述第二N型掺杂区域毗邻所述P型埋层并具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；以及漏极、源极和栅极；漏极欧姆接触，所述漏极欧姆接触耦接至所述第一N型掺杂区域以提供所述漏极；源极欧姆接触，所述源极欧姆接触耦接至所述第二N型掺杂区域以提供所述源极；电阻，所述电阻耦接至所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域。