发明名称 一种宽带白光长余辉材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种宽带白光长余辉材料,基体材料为AZBYCXO(Z+1.5Y+2X),其中A取自Zn;B为Al或Ga;C为Si、Ge、Sn中的一种;0.5≤X≤5,1≤Y≤3,1≤Z≤10,Z/X=2/1;基体材料中掺杂0~20mol%的M,其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明制备的长余辉发光材料发光范围位于300nm~800nm,发光峰位于520nm。此种材料首先可以在200nm~350nm范围内被激发,发射出300nm~800nm,发光峰位于520nm的宽带荧光,并且具备长余辉特性,余晖时间大于2h。
申请公布号 CN103320126A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201310224050.3 申请日期 2013.06.06
申请人 华南理工大学 发明人 李杨;董国平;邱建荣;彭明营
分类号 C09K11/66(2006.01)I;C09K11/64(2006.01)I;C09K11/62(2006.01)I 主分类号 C09K11/66(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人 陈文姬
主权项 一种宽带白光长余辉材料,其特征在于,基体材料为AZBYCXO(Z+1.5Y+2X),其中A为Zn;B为Al或Ga;C为Si、Ge、Sn中的一种;0.5≤X≤5,1≤Y≤3,1≤Z≤10,Z/X=2/1;基体材料中掺杂0~20mol%的M,其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。
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