发明名称 |
一种宽带白光长余辉材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种宽带白光长余辉材料,基体材料为AZBYCXO(Z+1.5Y+2X),其中A取自Zn;B为Al或Ga;C为Si、Ge、Sn中的一种;0.5≤X≤5,1≤Y≤3,1≤Z≤10,Z/X=2/1;基体材料中掺杂0~20mol%的M,其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明制备的长余辉发光材料发光范围位于300nm~800nm,发光峰位于520nm。此种材料首先可以在200nm~350nm范围内被激发,发射出300nm~800nm,发光峰位于520nm的宽带荧光,并且具备长余辉特性,余晖时间大于2h。 |
申请公布号 |
CN103320126A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310224050.3 |
申请日期 |
2013.06.06 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
李杨;董国平;邱建荣;彭明营 |
分类号 |
C09K11/66(2006.01)I;C09K11/64(2006.01)I;C09K11/62(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/66(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
陈文姬 |
主权项 |
一种宽带白光长余辉材料,其特征在于,基体材料为AZBYCXO(Z+1.5Y+2X),其中A为Zn;B为Al或Ga;C为Si、Ge、Sn中的一种;0.5≤X≤5,1≤Y≤3,1≤Z≤10,Z/X=2/1;基体材料中掺杂0~20mol%的M,其中M为碱金属元素、碱土金属元素一种或者两种。 |
地址 |
510641 广东省广州市天河区五山路381号 |