发明名称 |
基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片 |
摘要 |
本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔,基体俯视方向为长方形,狭缝光波导包含一条狭缝,所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上,长度与基体所述中心轴线相等。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。 |
申请公布号 |
CN103308477A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201310180747.5 |
申请日期 |
2013.05.16 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
王卓然;袁国慧;高亮;王维;任培培 |
分类号 |
G01N21/45(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/45(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
周永宏 |
主权项 |
基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔,基体俯视方向为长方形,狭缝光波导包含一条狭缝,所述狭缝位于基体长度方向的中心轴线上,长度与基体所述中心轴线相等。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |