发明名称 |
用于润湿预处理以进行贯通抗蚀剂金属电镀的方法和装置 |
摘要 |
本发明公开了用于润湿预处理以进行贯通抗蚀剂金属电镀的方法和装置。在一些实施方式中,预润湿的装置包括:脱气器、处理室和控制器。所述处理室包括:被配置为保持晶片衬底的晶片保持架,被配置为使得能在所述处理室中形成低于大气压的压强的真空端口,以及被联接到所述脱气器并被配置为以能使所述晶片衬底上的颗粒材料松脱的至少约7米每秒的速率以及以能将松脱的颗粒从所述晶片衬底去除的流率将脱气预润湿流体输送到所述晶片衬底上的流体入口。所述控制器包括程序指令,其用于通过使所述晶片衬底与以至少约0.4升每分钟的流率通过所述流体入口的所述脱气预润湿流体接触从而在所述处理室中的所述晶片衬底上形成润湿层。 |
申请公布号 |
CN103305886A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201310080545.3 |
申请日期 |
2013.03.13 |
申请人 |
诺发系统公司 |
发明人 |
布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶;托马斯·A·波努司瓦米;罗伯特·拉什;布赖恩·布莱克曼;道格·希格利 |
分类号 |
C25D7/12(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
C25D7/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
一种装置,其包括:脱气器,其被配置为从预润湿流体去除一种或多种溶解的气体以产生脱气预润湿流体;处理室,其包括:晶片保持架,其被配置为保持晶片衬底并被配置为旋转所述晶片衬底,真空端口,其被配置为使得能在所述处理室中形成低于大气压的压强,以及流体入口,其联接到所述脱气器,并被配置为以至少约7米每秒的速率将所述脱气预润湿流体输送到所述晶片衬底上;以及控制器,其包括用于下述操作的程序指令:以第一旋转速率旋转所述晶片衬底,以及在以所述第一旋转速率旋转所述晶片衬底的同时,通过使所述晶片衬底与来自所述脱气器的并能以至少约0.4升每分钟的流率通过所述流体入口的所述脱气预润湿流体接触,从而在所述处理室中在所述低于大气压的压强在所述晶片衬底上形成润湿层,所述脱气预润湿流体处于液体状态。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |