| 发明名称 | 一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；（3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接接触实现有源器件的源极接地；（4）对上述器件进行封装，在封装过程中需要倒装。所述方法可以将源极寄生电感值降低到最小，同时改善芯片的散热特性，降低芯片对半导体基板厚度的要求，方便加工，提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN103311180A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310184126.4 | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 冯志红;宋旭波;敦少博;徐鹏;王元刚;顾国栋;房玉龙;吕元杰;尹甲运;邢东 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 陆林生 |
| 主权项 | 一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将功率放大器的有源器件形成于半导体基板的正面，并将功率放大器的无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；（3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接接触实现有源器件的源极接地；（4）对经过步骤（3）处理后的器件进行封装，在封装过程中需要倒装。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||