发明名称 |
一种直接贴焊的半导体发光共晶晶片的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体发光DA(Direct Attach直接贴焊)共晶晶片的制造方法,包括:对透明体衬底的正面和背面都进行图形化处理;在图像化处理后的透明体衬底上进行外延生长(EPI:Epitaxy)得到外延片;对得到的外延片进行前段工序,在前段工序中对外延片进行金属光刻,用光刻胶在外延片上形成电极图形,以及对外延片进行金属蒸镀,沉积Cr,Ni,Au,Ti,Sn后最外层为AuSn合金层,得到具有电极的外延片;然后对外延片进行倒模处理;对倒膜处理后的外延片进行激光切割得到半导体发光共晶晶片。本发明省去了很多传统工序,在产品的稳定性,信赖性,可靠性等方面和传统MTBF指标方面都会提高10倍以上,是半导体发光产品家用化和高品质规模化生产的最基本的基础保证。 |
申请公布号 |
CN103311385A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201310190639.6 |
申请日期 |
2013.05.21 |
申请人 |
严敏;程君;周鸣波 |
发明人 |
严敏;程君;周鸣波 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京亿腾知识产权代理事务所 11309 |
代理人 |
陈惠莲 |
主权项 |
一种直接焊接DA的半导体发光共晶晶片的制造方法,包括:对透明体衬底的正面和背面都进行图形化处理;在图像化处理后的透明体衬底上进行外延生长EPI得到外延片;对得到的外延片进行前段工序,在所述前段工序中对外延片进行金属光刻,用光刻胶在外延片上形成电极图形,以及对外延片进行金属蒸镀,沉积Cr,Ni,Au,Ti,Sn,金属蒸镀后的沉积的最外层为AuSn合金层,得到具有电极的外延片;对经前段工序处理后的外延片进行倒模倒装处理;对倒膜处理后的外延片进行激光切割得到直接焊接DA的半导体发光共晶晶片。 |
地址 |
100097 北京市海淀区远大路远大园一区四号楼三单元B1F室 |