半导体结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一第二导电型的第一阱区、一第二导电型的掺杂区、一场氧化物以及一第二导电型的第二阱区。第一阱区形成于衬底中。掺杂区形成于第一阱区中，掺杂区具有一第一杂质净浓度。场氧化物形成于第一阱区的表面区域。第二阱区位于场氧化物下方，且连接于掺杂区的一侧，其中第二阱区具有一第二杂质净浓度，第二杂质净浓度小于第一杂质净浓度。

主权项

一种半导体结构，包括：一第一导电型的衬底；一第二导电型的第一阱区，形成于该衬底中；一第二导电型的掺杂区，形成于该第一阱区中，该掺杂区具有一第一杂质净浓度；一场氧化物，形成于该第一阱区的表面区域；以及一第二导电型的第二阱区，位于该场氧化物下方，且连接于该掺杂区的一侧，其中该第二阱区具有一第二杂质净浓度，该第二杂质净浓度小于该第一杂质净浓度。