一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法

摘要

一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法是在磁控溅射系统中，采用氩、氢混合等离子体去除激光器芯片解理面上的表面态，随后原位溅射一层ZnO薄膜作为钝化阻挡层，形成钝化膜后按照常规工艺镀制腔面增透膜和高反膜。该技术方案可应用于各类GaAs基半导体激光器制造。

主权项

一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，该方法包括在磁控溅射系统内采用氩、氢混合等离子体分别对激光器前后腔面进行清洗，清洗后原位溅射ZnO钝化薄层，最后按常规工艺镀制前腔面增透膜和后腔面高反膜。