相变存储器及其制造方法

摘要

一种相变存储器及其制造方法，所述制造方法包括：形成半导体基底；在半导体基底上形成第一介质层；图形化第一介质层，形成与浅沟槽隔离区平行条形介质层，条形介质层之间形成露出部分选通二极管的开口；在条形介质层上、开口的侧壁上以及开口的底部覆盖导电层；图形化导电层，使位于开口底部的剩余导电层至少露出其下方的浅沟槽隔离区，还使剩余导电层至少露出深沟槽隔离区；向开口中填充介质材料，直至填满开口，形成第二介质层；通过平坦化工艺去除条形介质层上的导电层，使第一介质层、第二介质层和开口侧壁上的导电层齐平；在开口侧壁上的导电层上形成相变材料层。本发明可以简化相变存储器的结构和制造工艺。

主权项

一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、形成于所述衬底上的多条平行排布的深沟槽隔离区、多条与所述深沟槽隔离区垂直的浅沟槽隔离区以及位于深沟槽隔离区和浅沟槽隔离区之间的选通二极管；在所述半导体基底上形成第一介质层；图形化所述第一介质层，形成与所述浅沟槽隔离区平行的条形介质层，所述条形介质层间形成有露出浅沟槽隔离区之间的部分选通二极管的开口；在所述条形介质层上、所述开口的侧壁上以及所述开口的底部沉积导电材料，形成导电层；图形化所述导电层，去除远离条形介质层的、位于开口底部的部分导电材料，使位于开口底部的剩余导电层至少露出开口下方的浅沟槽隔离区，还去除深沟槽隔离区上的部分导电层，使剩余导电层至少露出深沟槽隔离区；向开口中填充介质材料，直至填满所述开口，形成第二介质层；通过平坦化工艺去除条形介质层上的导电层，使所述第一介质层、第二介质层和所述开口侧壁上的导电层齐平；在所述开口侧壁上的导电层上形成相变材料层。