| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium, umfassend das Ziehen eines Einkristalls aus einer in einem Tiegel enthaltenen Schmelze und das Abtrennen von Halbleiterscheiben von dem gezogenen Einkristall, wobei während des Ziehens des Einkristalls Wärme zu einem Zentrum des wachsenden Einkristalls an der Grenze zur Schmelze geleitet wird und ein CUSP-Magnetfeld an die Schmelze angelegt wird, so dass eine neutrale Fläche des CUSP-Magnetfeldes die Ziehachse des Einkristalls in einem Abstand von 50 mm bis 150 mm über der Oberfläche der Schmelze schneidet; weiterhin umfassend das Bereitstellen eines Seitenheizers, der den Tiegel umschließt, einer ringförmigen Heizquelle, die einen an die Oberfläche der Schmelze angrenzenden Rand des Einkristalls erhitzt, einer stationären Heizquelle, die einen Tiegelboden erhitzt, und einer beweglichen Heizquelle, die mit dem Tiegel angehoben wird und einen in der Mitte liegenden Bereich eines Tiegelbodens erhitzt; und das Aufteilen einer Gesamtheizleistung auf die Heizquellen.</p> |
