发明名称 包含n型掺杂剂源的光伏装置
摘要 这里描述了一种使用透明导电基板的缓冲层作为用于光伏装置的n型窗口层的掺杂剂源的方法。在半导体处理过程中,缓冲层的掺杂剂源分布到光伏装置的窗口层。这里还描述了基板结构和光伏装置的实施例的制造方法。公开的实施例还描述了一种具有多个光伏装置的光伏模块和光伏结构,该光伏装置具有实施例的基板结构。
申请公布号 CN103283031A 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201180056336.4 申请日期 2011.09.14
申请人 第一太阳能有限公司 发明人 马库思·格鲁克勒尔
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/073(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 王占杰;郭鸿禧
主权项 一种光伏装置,所示光伏装置包括:透光的支撑层;缓冲层,包含n型掺杂剂;透明导电氧化物,设置在支撑层和缓冲层之间;吸收层;以及窗口层,设置在吸收层和缓冲层之间。
地址 美国俄亥俄州佩里斯堡