发明名称 In-Ga-Zn系氧化物、氧化物烧结体以及溅射靶
摘要 一种氧化物,其含有铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锌元素(Zn),通过X射线衍射测定(Cukα射线),在入射角(2θ)为7.0°~8.4°、30.6°~32.0°、33.8°~35.8°、53.5°~56.5°以及56.5°~59.5°的各位置处观测到衍射峰,并且,在2θ为30.6°~32.0°以及33.8°~35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰,其他为副峰。
申请公布号 CN102395542B 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201080016347.5 申请日期 2010.11.17
申请人 出光兴产株式会社 发明人 矢野公规;糸濑将之;川岛浩和
分类号 H01L21/203(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 H01L21/203(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 翟赟琪
主权项 一种氧化物烧结体,其含有铟元素In、镓元素Ga以及锌元素Zn,通过基于Cukα射线的X射线衍射测定,在入射角2θ为7.0°~8.4°、30.6°~32.0°、33.8°~35.8°、53.5°~56.5°以及56.5°~59.5°的各位置处能观测到衍射峰,并且,在2θ为30.6°~32.0°以及33.8°~35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰,其他为副峰,铟元素In、镓元素Ga以及锌元素Zn的原子比满足下述式(1)以及(2),0.45≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.60  (1)0.21≤Ga/(In+Ga)≤0.29    (2)。
地址 日本国东京都