发明名称 可重组态的高速存储芯片模块和电子系统装置
摘要 本实用新型公开了一种可重组态的高速存储芯片模块和和电子系统装置。该高速存储芯片模块包括一种型式的存储单元数组、一第一传输总线及一逻辑单元。该种型式的存储单元数组包括多个存储单元数组集成电路;该第一传输总线是耦接于该种型式的存储单元数组,具有一第一可编程的传送或接收数据速率、一第一可编程的传送或接收数据信号振幅以及一第一可编程的总线宽度的部份或全部;该逻辑单元是耦接于该第一传输总线,用以通过该第一传输总线存取该种型式的存储单元数组。因此,本实用新型耗电较少和具有较高的传输效率、较低的成本、较高的效能、电磁干扰的屏蔽效果、较佳的散热能力及隔离外界噪声的功能。
申请公布号 CN203179011U 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201220577078.6 申请日期 2012.11.05
申请人 钰创科技股份有限公司 发明人 甘万达;卢超群;宋建迈
分类号 G06F13/16(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 G06F13/16(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种可重组态的高速存储芯片模块,包括: 一种型式的存储单元数组,其中该种型式的存储单元数组包括多个存储单元数组集成电路; 该高速存储芯片模块的特征在于还包括: 一第一传输总线,耦接于该种型式的存储单元数组,具有一第一可编程的传送或接收数据速率、一第一可编程的传送或接收数据信号振幅;及 一逻辑单元,耦接于该第一传输总线,用以通过该第一传输总线存取该种型式的存储单元数组。
地址 中国台湾新竹市