| 发明名称 | 用于制造多个半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件（10）的方法，所述半导体器件分别具有至少一个半导体芯片（1）和转换小板（2）。为此，在晶片复合结构（10a）中提供多个分别适合于发射初级辐射的半导体芯片（1）。此外，在共同的载体（2a）上提供多个分别适合于将初级辐射转换为次级辐射的转换小板（2），其中分别将转换小板（2）借助于自动化的方法安装在一个半导体芯片（1）或多个半导体芯片（1）上。 | ||
| 申请公布号 | CN103283040A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201180063777.7 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔;冈特·斯帕思;赫贝特·布伦纳 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 用于制造多个发射辐射的半导体器件（10）的方法，所述半导体器件分别具有至少一个半导体芯片（1）和转换小板（2），所述方法至少具有下述方法步骤：a）在晶片复合结构（10a）中提供多个分别适合于发射初级辐射的半导体芯片（1），b）在共同的载体（2a）上提供分别适合于将所述初级辐射转换为次级辐射的多个转换小板（2），以及c）分别将转换小板（2）借助于自动化的方法安装在一个半导体芯片（1）或多个半导体芯片（1）上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||