紫外(UV)和等离子体辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统

摘要

本发明是用于制造HTS涂覆的带的高产出的、紫外(UV)辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统。本发明的UV辅助MOCVD系统包括辐射蒸发区和提高膜增长速率的UV源。为了优选反应动力学并因此提高薄膜的生长速率，MOCVD系统还促进了前体蒸汽的激发和单原子氧(O)气氛的应用，而不是使用常规的双原子氧(O2)。在另一个实施方式中，微波等离子体发射器取代UV源。

主权项

一种使用金属有机气相沉积法连续高产出地制备高温超导带的方法，其包括：提供单股或多股基片，将这些基片股穿过MOCVD反应器，提供蒸汽形式的超导前体组合物源，该超导前体组合物包含有机金属前体，将该蒸汽形式的超导前体组合物与惰性载气混合，将该蒸汽形式的超导前体组合物和惰性载气的混合物与一氧化二氮和双原子氧合并，将该基片股平移通过MOCVD室中的沉积区，其中所述沉积区界定为喷头和喷头下方的基片加热器之间的空间，提供将UV辐射或微波辐射形式的能量导入所述沉积区的能源，其中提供的能源足以引起双原子氧反应并形成单原子氧，且足以将所述有机金属前体分子激发到高能态，和将该合并的气体和蒸汽通过喷头引入到MOCVD反应器，以使具有超导组成的前体蒸汽在所述沉积区中接触于基片的受热表面。