发明名称 |
制作掺杂阱以及包含该掺杂阱的晶体管的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种掺杂阱的制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成具有第一图案的光刻胶层;在具有第一图案的光刻胶层和衬底上涂覆交联材料层;对衬底进行烘焙,以便使交联材料层发生交联反应,而在交联材料层的与具有第一图案的光刻胶层接触的部分形成交联层;去除交联材料层中未发生交联反应的部分,以留下交联层;在交联层上形成具有第二图案的光刻胶层;以具有第二图案的光刻胶层和具有第一图案的光刻胶层为掩膜进行离子注入,在衬底中形成掺杂阱。根据本发明的掺杂阱的制作方法,能够有效地缩短工艺周期,减少工艺步骤,降低工具的负担,并提高生产效率。 |
申请公布号 |
CN102347236B |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201010245472.5 |
申请日期 |
2010.07.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
周朝礼 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;谢栒 |
主权项 |
一种制作掺杂阱的方法,包括:提供衬底,在所述衬底上形成具有第一图案的光刻胶层;在所述具有第一图案的光刻胶层和所述衬底上涂覆交联材料层;对所述衬底进行烘焙,以便使所述交联材料层发生交联反应,而在所述交联材料层的与所述具有第一图案的光刻胶层接触的部分形成交联层;去除所述交联材料层中未发生交联反应的部分,以留下所述交联层;在所述交联层上形成具有第二图案的光刻胶层;以所述具有第二图案的光刻胶层和所述具有第一图案的光刻胶层为掩膜进行离子注入,在所述衬底中形成所述掺杂阱;去除所述具有第二图案的光刻胶层、所述交联层和所述具有第一图案的光刻胶层,其中,所述具有第二图案的光刻胶层可以进一步阻挡离子注入到所述衬底中以使所述具有第二图案的光刻胶层所对应的衬底上的区域不进行掺杂。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |