一种GaAs霍尔器件的制作方法

摘要

一种GaAs霍尔器件的制作方法，所述方法首先在高阻砷化镓基片上生长掺Si的砷化镓外延层来形成有源层，然后依次在有源层上蒸镀金属电极、生长SiO2薄膜并将SiO2薄膜腐蚀成霍尔器件所需的有源区图形，最后在有源层的未被金属电极和SiO2薄膜覆盖的区域内注入离子，使所述区域形成半绝缘隔离区，从而获得霍尔器件芯片。本发明采用选择性离子注入的方法将有源层的多余部分转化为半绝缘隔离区，从而使有源层的未转化部分形成符合设计要求的有源区。同传统的化学腐蚀方法相比，所述方法所得到的有源区图形精度高、对称性好，因此大大降低了霍尔器件的失调电压，提高了器件的稳定性。

主权项

一种GaAs霍尔器件的制作方法，其特征是，所述方法首先在高阻砷化镓基片（1）上生长掺Si的砷化镓外延层来形成有源层（2），然后依次在有源层（2）上蒸镀金属电极（3）、生长SiO2薄膜（4）并将SiO2薄膜（4）腐蚀成霍尔器件所需的有源区图形，最后在有源层（2）的未被金属电极（3）和SiO2薄膜（4）覆盖的区域内注入离子，使所述区域形成半绝缘隔离区（5），从而获得霍尔器件芯片。