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经营范围
发明名称
半导体发光装置及其制造方法
摘要
依据一实施例,一半导体发光装置包含发光晶片及萤光材料层。该发光晶片包含半导体层、第一电极、第二电极、绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱、及树脂层。该半导体层包含发光层、第一主面、及形成在与该第一主面相反侧的第二主面。该萤光材料层系设在该第一主面上并具有较该发光晶片为大之平面尺寸。
申请公布号
TWI407604
申请公布日期
2013.09.01
申请号
TW099130059
申请日期
2010.09.06
申请人
东芝股份有限公司 日本
发明人
杉崎吉昭;柴田英毅;小岛章弘;石川正行;田村英男;小松哲郎
分类号
H01L33/62
主分类号
H01L33/62
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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