具有氧化铪与氧化铝合成介电层的电容器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有氧化铪及氧化铝合成介电层的电容器及其制造方法。所述电容器包括一下电极、一在所述下电极上形成的介电层、以及一在所述介电层上形成的上电极，其中与所述下电极及上电极中之一接触的所述介电层的部分是通过使氧化铪及氧化铝在一起形成合金而形成的。

主权项

一种制造电容器的方法，包括下列步骤：形成一下电极；形成一介电层，所述介电层包括一第一合成介电层和一第二合成介电层以及一氧化铝及氧化铪叠层，其中所述第一合成介电层和所述第二合成介电层均与所述下电极和上电极之一接触，所述氧化铝及氧化铪叠层布置在所述第一合成介电层与所述第二合成介电层之间；以及在所述介电层上形成所述上电极，其中所述第一合成介电层和所述第二合成介电层中的每一层均是通过重复提供结合于单分子中的铪与铝的源气体、净化气体、氧化剂及净化气体的循环、通过原子层沉积技术而由具有(HfO2)1‑X(Al2O3)X分子结构的氧化铪及氧化铝合金层形成的，其中，x代表分子组成系数，其中所述氧化铪及氧化铝合金层的氧化铪层及氧化铝层每一层被沉积为具有在1埃至10埃的范围内的厚度以使每一原子层不连续的形成，并且所述氧化铪及所述氧化铝均接触所述下电极或所述上电极。