发明名称 |
介电器件的制造方法和灰化方法 |
摘要 |
本发明提供了能够抑制抗蚀剂残留物的介电器件的制造方法和灰化方法。在所述灰化方法中,将通过由有机材料形成的抗蚀剂掩模(6)用含氯气体或氟碳类气体的等离子体对表面进行刻蚀的基材配置在腔室内,在所述腔室内通过氧离子对所述抗蚀剂掩模(6)进行轰击处理,在所述腔室内通过氧自由基去除所述抗蚀剂掩模。根据所述灰化方法,通过氧离子进行的轰击处理,物理去除粘附于所述抗蚀剂掩模表面的刻蚀反应物。由此,可抑制由刻蚀反应物引起的抗蚀剂残留物的产生,可有效地从所述基材表面去除所述抗蚀剂掩模。 |
申请公布号 |
CN103262221A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201180060675.X |
申请日期 |
2011.12.19 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
吉田善明;小风豊 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
徐川;张颖玲 |
主权项 |
一种介电器件的制造方法,包括:制作在基材上依次形成第一电极、介电层和第二电极层的层压体;在所述第二电极层上形成由有机材料形成的抗蚀剂掩模;通过所述抗蚀剂掩模,由含氯气体或氟碳类气体的等离子体依次刻蚀所述第二电极层和所述介电层;通过氧离子对所述抗蚀剂掩模进行轰击处理;以及通过氧自由基去除所述抗蚀剂掩模。 |
地址 |
日本神奈川县 |