一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构及方法

摘要

本发明涉及一种在(100)硅片上采用双面对穿腐蚀制造的薄膜器件结构及其制造方法。其特征在于硅片正面是具有特定组合结构腐蚀窗口的薄膜器件结构层和功能层，硅片反面是矩形腐蚀窗口；中间是双面对穿腐蚀形成的空腔。关键在于正反两面腐蚀窗口的结构设计及其排布上。正面腐蚀窗口为与<100>晶向成±30度夹角以内、长宽比例范围在5∶1到100∶1以内的狭长条形窗口及其组合，反面腐蚀窗口为边长沿<110>晶向的矩形窗口。双面对穿腐蚀释放薄膜的方法有效减少薄膜器件的制造时间，准确控制释放薄膜的结构尺寸，使器件具有良好的一致性和高的成品率，并显著提升器件的性能，特别适合于热相关的器件。

主权项

一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件的方法，包括以下5个步骤：a)薄膜器件结构层的制作；b)制作正面腐蚀窗口；c)制作反面腐蚀窗口；d)薄膜释放和对穿腐蚀；e)功能层的制作；其中：①薄膜器件结构层的制作是必需放在第一步；②先制作正面腐蚀窗口再制作反面腐蚀窗口或者先制作反面腐蚀窗口再制作正面腐蚀窗口；③薄膜释放和对穿腐蚀的制作是在正面腐蚀窗口或反面腐蚀窗口制作之后进行的；④功能层的制作步骤是在薄膜器件结构层步骤之后制作，或在薄膜释放和对穿腐蚀步骤之后制作。